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9。6。電。磁 屏，蔽9.6，1、硅集成電路芯片生產相關工序的房間和測量 儀表計量房間,凡屬下列情況之一，應采取電磁屏蔽措施，1.環(huán)境的電磁場強度超過生產設備和儀器正常使用的允許值、2、生產設備及儀器產生的電磁泄漏超過干擾相鄰區(qū)域所允許的環(huán)境電磁場強度值.3，有特殊電磁兼容要求時。9。6,2、環(huán)境電磁場場強宜以實測值為設計依據。缺少實測數據時,可采用理論計算值再加上6dB 8dB的環(huán)境電平值作為干擾場強，9.6,3 生產設備和儀器所允許的環(huán)境電磁場強度值、應以產品技術說明要求為依據，9，6、4,對需要采取電磁屏蔽措施的生產工序,在滿足生產操作和屏蔽結構體易于實現的前提下，宜直接對生產工序中的設備工作地環(huán)境進行屏蔽 9、6、5、對需要采取電磁屏蔽措施的區(qū)域,屏蔽結構的屏蔽效能應在工作頻段有不小于10dB的余量，屏蔽室的電磁屏蔽效能、可按表9。6,5的數值確定 表9、6.5，屏蔽室的電磁屏蔽效能9.6。6。屏蔽措施可選擇下列方式、1。直接對生產設備工作地環(huán)境進行屏蔽時 宜選擇裝配式的商品屏蔽室,2 對生產工序整體環(huán)境進行屏蔽時,宜選擇非標設計和施工安裝的屏蔽體，3，對儀表計量房間的電磁進行屏蔽時、裝配式的商品屏蔽室與非標設計和施工安裝的屏蔽體均可采用，9，6,7.屏蔽效果驗收測量應符合現行國家標準.電磁屏蔽室屏蔽效能的測量方法、GB，T，12190的規(guī)定。