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6.防,微。振6 1.一般規(guī)定6,1,1,硅集成電路芯片廠房應(yīng)滿足光刻及測(cè)試設(shè)備的防微振要求,6 1。2 硅集成電路芯片廠房的選址應(yīng)對(duì)場(chǎng)地周圍的振源進(jìn)行充分的調(diào)查與評(píng)估,6。1,3 廠址選擇除既有環(huán)境的振源外,尚應(yīng)計(jì)及在未來(lái)可能產(chǎn)生的振源對(duì)擬建廠房的影響,6。1,4。振動(dòng)大的動(dòng)力設(shè)備和運(yùn)輸工具等應(yīng)遠(yuǎn)離對(duì)振動(dòng)敏感的凈化生產(chǎn)區(qū)域.動(dòng)力廠房與生產(chǎn)廠房不宜貼近布置 6、1 5.硅集成電路芯片廠房宜在下列階段進(jìn)行微振測(cè)試和評(píng)價(jià),1、在建設(shè)前、對(duì)場(chǎng)地素地進(jìn)行測(cè)試和評(píng)價(jià)、2,生產(chǎn)廠房結(jié)構(gòu)體完工后 對(duì)于布置光刻及測(cè)試設(shè)備的區(qū)域進(jìn)行測(cè)試,3.生產(chǎn)廠房竣工時(shí).對(duì)布置光刻及測(cè)試設(shè)備的區(qū)域進(jìn)行測(cè)試、
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