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5,8.反應離子刻蝕機5,8,1 反應離子刻蝕機的安裝應符合下列規(guī)定 1 應通過調節(jié)四個地腳高度來調平承片臺、2 應根據設備和環(huán)境要求.安裝一般排風系統(tǒng)或酸堿排風系統(tǒng),3。設備總電源應配置專用空氣開關、接地線應可靠、4 刻蝕電極應獨立安裝循環(huán)冷卻水系統(tǒng)、水壓應為0,2MPa,0、6MPa.水溫應保持在16.28,水阻不應小于3MΩ 5,應安裝工藝用氣CF4.SF6 C4F和O2等氣體管道,若廠房沒有配置固定的管道氣體,可采用罐裝氣體接入.6。射頻電源功率可分別設置為1000W和500W、并應具有阻抗自動匹配功能 7，應根據氣體性質安裝氣體泄漏報警裝置,5、8.2。反應離子刻蝕機的調試及試運行應符合下列規(guī)定，1，應準備好已涂覆上相同厚度聚酰亞胺膜層的基片 且應已有均勻的掩模窗口.2.應啟動循環(huán)冷卻水系統(tǒng)并檢查循環(huán)水箱水位，水位過低時可從水箱上方的注水口注入純水.并應確保其水位在、MAX.和 MIN、之間 3 應切斷進氣閥和保護閥?？捎迷O備自帶的真空系統(tǒng)對反應室抽真空,測試極限真空度應能達到氣壓不大于1.0，10。4Pa,用氦質譜檢漏儀檢測反應室漏氣率不應大于1、0,10，6Pa,L、s、4,開機進入主界面時.應打開機械泵和分子泵 待分子泵的速度達到滿轉后方可進行刻蝕工藝,5 應將基片放到刻蝕腔室承片臺上、應關閉腔室并設置好工藝氣體流量,射頻電源電壓?？涛g時間.進行刻蝕工藝、6.設備應具備光學發(fā)射光譜法終點檢測系統(tǒng)、7,刻蝕結束后應用膜厚測量儀測試基片的上 下.左，右，中五個點,應記錄打開窗口中剩余聚酰亞胺的厚度 片內和片間的刻蝕厚度允許偏差應為，3,