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3 電子產(chǎn)品生產(chǎn)環(huán)境設(shè)計(jì)要求3,1 一般規(guī)定3.1、1 3 1、3.隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展。電子產(chǎn)品生產(chǎn)日新月異 以微電子產(chǎn)品為代表的各種電子產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)發(fā)展迅速、現(xiàn)代電子產(chǎn)品要求微型化。精密化.高純度 高質(zhì)量和高可靠性，以人們熟悉的手機(jī) 筆記本電腦為例 它所使用的集成電路 電子元器件以及其組裝的生產(chǎn)過程都要求在受控環(huán)境條件下進(jìn)行操作，其中以集成電路生產(chǎn)過程對受控環(huán)境的要求尤為嚴(yán)格,當(dāng)今線寬為45nm的超大規(guī)模集成電路產(chǎn)品已投入生產(chǎn)。其受控生產(chǎn)環(huán)境 潔凈室,區(qū).的受控粒子尺寸要求小于0 02μm甚至更小,表1是超大規(guī)模集成電路的發(fā)展及相應(yīng)控制粒子的粒徑 集成電路產(chǎn)品的生產(chǎn)和研究表明.超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)所需受控環(huán)境不僅嚴(yán)格控制微粒、而且還需嚴(yán)格控制生產(chǎn)環(huán)境的化學(xué)污染物和直接與產(chǎn)品生產(chǎn)過程接觸的各種介質(zhì)、高純水,高純氣體 化學(xué)品的純度和雜質(zhì)含量、表2是超大規(guī)模集成電路對化學(xué)污染物的控制指標(biāo),表3是大規(guī)模集成電路的工藝發(fā)展.從表1,表3中所列數(shù)據(jù)可見 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器。Dynamic。Random。Access。memory 簡稱DRAM、產(chǎn)品的線寬從0，25pm發(fā)展到0 05。μm.要求潔凈室 區(qū)，生產(chǎn)環(huán)境控制粒子直徑從0,125μm嚴(yán)格到0、025μm,空氣潔凈度等級從5級到6級。嚴(yán)格到1級或更嚴(yán)。生產(chǎn)過程使用的高純氣.高純水中的雜質(zhì)含量從10。6 嚴(yán)格到10,11等、集成電路生產(chǎn)實(shí)踐表明、芯片生產(chǎn)過程使用的工具,器具和物料儲運(yùn)裝置也可能成為微粒,化學(xué)污染物的攜帶者或污染源 所以對其制作材質(zhì)和清潔方式或保護(hù)方法，應(yīng)根據(jù)產(chǎn)品生產(chǎn)工藝要求采取相應(yīng)的技術(shù)措施 為此、在本規(guī)范中作出第3，1，1，3，1 3條的一般規(guī)定.