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3.電子產(chǎn)品生產(chǎn)環(huán)境設(shè)計(jì)要求3.1 一般規(guī)定3,1 1。3 1,3.隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展。電子產(chǎn)品生產(chǎn)日新月異.以微電子產(chǎn)品為代表的各種電子產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)發(fā)展迅速 現(xiàn)代電子產(chǎn)品要求微型化。精密化,高純度。高質(zhì)量和高可靠性、以人們熟悉的手機(jī)、筆記本電腦為例 它所使用的集成電路。電子元器件以及其組裝的生產(chǎn)過程都要求在受控環(huán)境條件下進(jìn)行操作 其中以集成電路生產(chǎn)過程對(duì)受控環(huán)境的要求尤為嚴(yán)格.當(dāng)今線寬為45nm的超大規(guī)模集成電路產(chǎn)品已投入生產(chǎn),其受控生產(chǎn)環(huán)境.潔凈室.區(qū)。的受控粒子尺寸要求小于0 02μm甚至更小 表1是超大規(guī)模集成電路的發(fā)展及相應(yīng)控制粒子的粒徑.集成電路產(chǎn)品的生產(chǎn)和研究表明，超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)所需受控環(huán)境不僅嚴(yán)格控制微粒 而且還需嚴(yán)格控制生產(chǎn)環(huán)境的化學(xué)污染物和直接與產(chǎn)品生產(chǎn)過程接觸的各種介質(zhì)、高純水 高純氣體，化學(xué)品的純度和雜質(zhì)含量。表2是超大規(guī)模集成電路對(duì)化學(xué)污染物的控制指標(biāo),表3是大規(guī)模集成電路的工藝發(fā)展、從表1,表3中所列數(shù)據(jù)可見.動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器.Dynamic,Random，Access memory，簡(jiǎn)稱DRAM，產(chǎn)品的線寬從0,25pm發(fā)展到0、05,μm,要求潔凈室。區(qū)。生產(chǎn)環(huán)境控制粒子直徑從0,125μm嚴(yán)格到0。025μm?？諝鉂崈舳鹊燃?jí)從5級(jí)到6級(jí).嚴(yán)格到1級(jí)或更嚴(yán)、生產(chǎn)過程使用的高純氣，高純水中的雜質(zhì)含量從10 6。嚴(yán)格到10、11等 集成電路生產(chǎn)實(shí)踐表明，芯片生產(chǎn)過程使用的工具。器具和物料儲(chǔ)運(yùn)裝置也可能成為微粒.化學(xué)污染物的攜帶者或污染源、所以對(duì)其制作材質(zhì)和清潔方式或保護(hù)方法，應(yīng)根據(jù)產(chǎn)品生產(chǎn)工藝要求采取相應(yīng)的技術(shù)措施、為此.在本規(guī)范中作出第3,1,1，3、1。3條的一般規(guī)定。