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- 多晶硅工廠設(shè)計規(guī)范 GB 51034-2014
- 1 總 則
- 2 術(shù) 語
- 3 基本規(guī)定
- 4 廠址選擇及廠區(qū)規(guī)劃
- 5 工藝設(shè)計
- 5.1 一般規(guī)定
- 5.2 三氯氫硅合成和四氯化硅氫化
- 5.3 氯硅烷提純
- 5.4 三氯氫硅氫還原
- 5.5 還原尾氣干法回收
- 5.6 硅芯制備及多晶硅產(chǎn)品后處理
- 5.7 分析檢測
- 6 電氣及自動化
- 7 輔助設(shè)施
- 8 建筑結(jié)構(gòu)
- 9 給水、排水和消防
- 10 采暖、通風(fēng)與空氣調(diào)節(jié)
- 11 環(huán)境保護(hù)、安全和衛(wèi)生
- 12 節(jié)能、余熱回收
- 附錄A 地下管線與建(構(gòu))筑物之間的最小水平凈距
- 附錄B 地下管線之間的最小水平凈距
- 附錄C 主要房間空氣潔凈度、溫度、濕度
- 本規(guī)范用詞說明
- 引用標(biāo)準(zhǔn)名錄
- 條文說明
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5，7,分析檢測5、7,1.多晶硅工廠應(yīng)設(shè)置單獨的分析檢測室 并宜在四氯化硅氫化、還原尾氣干法回收 三廢處理站等裝置區(qū)內(nèi)設(shè)置在線分析裝置.5,7.2，分析檢測室不應(yīng)與甲，乙類房間布置在同一防火分區(qū)內(nèi),可獨立設(shè)置于一側(cè)。5。7。3,分析檢測應(yīng)包括下列內(nèi)容.1，氯硅烷的含量,雜質(zhì).含碳化合物分析.2，硅粉的含量,雜質(zhì)。粒度、碳含量分析。3，液氬中氧，氮含量分析 4。液氮中氧含量的分析、氮氣中氫含量,氧含量和露點分析、5.氫氣中氧含量,氮含量。氯硅烷含量.露點分析 6，水中氯離子，Cl,氟離子,F 化學(xué)含氧量,COD。生化需氧量。BOD、酸堿度。pH值、硬度 全堿度、懸浮物,總磷、正磷分析 7.大氣中氯化氫，氟化物,氮氧化物分析。8,多晶硅質(zhì)量指標(biāo)分析，指標(biāo)分析包括多晶硅的導(dǎo)電類型，電阻率,少子壽命。氧含量。碳含量.表面金屬雜質(zhì)含量。體金屬雜質(zhì)含量的分析，9、合成原料氯化氫的純度分析,10 液氯中三氯化氮，水含量分析、5 7、4.分析檢測室中除化學(xué)分析外，其他分析檢測室應(yīng)設(shè)置在潔凈區(qū)，