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- 多晶硅工廠設(shè)計規(guī)范 GB 51034-2014
- 1 總 則
- 2 術(shù) 語
- 3 基本規(guī)定
- 4 廠址選擇及廠區(qū)規(guī)劃
- 5 工藝設(shè)計
- 5.1 一般規(guī)定
- 5.2 三氯氫硅合成和四氯化硅氫化
- 5.3 氯硅烷提純
- 5.4 三氯氫硅氫還原
- 5.5 還原尾氣干法回收
- 5.6 硅芯制備及多晶硅產(chǎn)品后處理
- 5.7 分析檢測
- 6 電氣及自動化
- 7 輔助設(shè)施
- 8 建筑結(jié)構(gòu)
- 9 給水、排水和消防
- 10 采暖、通風(fēng)與空氣調(diào)節(jié)
- 11 環(huán)境保護(hù)、安全和衛(wèi)生
- 12 節(jié)能、余熱回收
- 附錄A 地下管線與建(構(gòu))筑物之間的最小水平凈距
- 附錄B 地下管線之間的最小水平凈距
- 附錄C 主要房間空氣潔凈度、溫度、濕度
- 本規(guī)范用詞說明
- 引用標(biāo)準(zhǔn)名錄
- 條文說明
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5,2.三氯氫硅合成和四氯化硅氫化5，2，1.多晶硅工廠應(yīng)有四氯化硅。STC。氫化裝置 企業(yè)可根據(jù)生產(chǎn)規(guī)模、當(dāng)?shù)厝葰涔韫?yīng)以及投資規(guī)模等方面綜合比較后確定是否增加三氯氫硅合成裝置 5，2 2、三氯氫硅合成工序的原料之一的氯化氫,HCl 可采用氯化氫合成或鹽酸解析工藝制取.5。2,3 液氯汽化工序的液氯汽化器應(yīng)采用熱水加熱 水溫宜為40 70.不應(yīng)使用蒸汽加熱,并應(yīng)設(shè)置冬，夏季不同溫度的冷.熱水汽化液氯，液氯汽化工序的設(shè)計應(yīng)符合現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn)、氯氣安全規(guī)程 GB。11984的有關(guān)規(guī)定，5.2.4,三氯氫硅合成工序應(yīng)采用干。濕結(jié)合的除塵工藝,并應(yīng)提高單次運(yùn)行時間、5、2，5，三氯氫硅合成工序的工藝尾氣應(yīng)采用吸附裝置回收氫氣和氯化氫,5 2,6.合成和冷氫化工序宜設(shè)置硅粉干燥工序.干燥用氣應(yīng)回收循環(huán)使用,5，2 7,四氯化硅氫化裝置應(yīng)根據(jù)多晶硅生產(chǎn)規(guī)模、所在地區(qū)能源價格、投資成本及建設(shè)周期綜合經(jīng)濟(jì)比較后確定采取高溫氫化上藝、固定床冷氫化工藝或流化床冷氫化工藝、5 2.8,氫化裝置宜與氫化冷凝液提純裝置臨近布置，5.2,9、冷氫化裝置應(yīng)配套殘液回收裝置,并應(yīng)就近配置，5。2.10。冷氫化裝置宜獨(dú)立設(shè)置于敞開或半敞開式的構(gòu)筑物內(nèi)，制冷系統(tǒng)可布置于建筑物內(nèi)、附屬輔助系統(tǒng)宜在滿足防火間距的基礎(chǔ)上毗連布置、5，2,11,主要設(shè)備選型應(yīng)符合下列規(guī)定 1、氫氣壓縮機(jī)應(yīng)選擇密封性好.噪聲小、故障率低的機(jī)型,宜設(shè)置備用機(jī)、2 宜選用運(yùn)行穩(wěn)定，故障率低。密封好的泵。應(yīng)設(shè)置備用機(jī).