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8,建筑結構8 1，一般規(guī)定8 1,1.本條是強制性條文、由于建筑的防火安全直接涉及人員和設備的安危，因此應對多晶硅工廠建 構,筑物的火災危險性分類及耐火等級進行規(guī)定。表8、1、1列出了多晶硅工廠主要生產廠房.工段裝置 輔助用房和公用工程的火險類別及耐火等級規(guī)定,目前國內多晶硅工廠主要以三氯氫硅氫還原法工藝生產多晶硅,四氯化硅轉化用氫化工藝，尾氣回收采用干法回收工藝.主要裝置火險類別均為甲類的有。制氫，三氯氫硅合成，精餾.還原，還原尾氣回收 廢氣處理 氫化，氫化尾氣回收、原料罐區(qū)。離子膜電解，氯氫處理。在多晶硅生產過程中原料有硅粉。易爆粉塵、二氯二氫硅。易燃液體。三氯氫硅 易燃液體、氫氣,易燃易爆氣體 等。整理、前,后處理.廠房主要包括出爐硅棒去石墨,破碎 篩選、酸洗.稱重包裝、入庫.以及硅芯制備及區(qū)熔檢驗生產和高純石墨生產線、生產火險類別為丙類，其他表中未列出的輔助車間及公用工程的火險類別劃分均按現行國家標準.建筑設計防火規(guī)范、GB,50016的有關規(guī)定執(zhí)行,表8、1，1中的耐火等級規(guī)定是根據多晶硅工廠各廠房 裝置的火險類別,生產性質和重要性制訂的。表中未列出的其他建。構 筑物耐火等級的確定應按現行國家標準,建筑設計防火規(guī)范.GB 50016的有關章節(jié)執(zhí)行 表8,1，1中的整理廠房包括多晶硅前處理和后處理兩個工序。其中前處理是多晶硅還原配套的輔助工藝單元 主要包括硅芯制備。石墨煅燒等 而后處理是多晶硅破碎，分揀。稱重.腐蝕清洗及包裝的統(tǒng)稱，8、1.2.多晶硅工廠是典型的化工廠,生產過程中有易燃。易爆物質存在.為了降低相鄰建。構.筑物之間的影響 能適應火災撲救.人員安全疏散.保證財產和人身安全.必須設置安全間距。多晶硅工廠建.構.筑物之間的最小間距就是防火間距、但是有特殊要求的除外,如潔凈廠房與主要交通干道的間距要考慮空氣的污染情況、由于現行國家標準,建筑設計防火規(guī)范、GB 50016中沒有規(guī)定露天工藝裝置和其他建,筑,物的防火間距,因此該部分執(zhí)行現行國家標準、石油化工企業(yè)設計防火規(guī)范,GB.50160的有關規(guī)定、8.1.3,多晶硅工廠主要裝置火險類別和爆炸的危險性較高，一般應露天或半露天設置.但是工藝上對環(huán)境防凍溫度及防風沙有要求的裝置可以放置在廠房里、如為了保證產品質量,工藝要求把生產半導體級產品的還原爐布置在空氣潔凈度為8級以上、相當于原10萬級，的潔凈區(qū)內 生產太陽能級產品的還原爐布置在送風為三級過濾的潔凈區(qū)內 產品通過潔凈連廊直接送到整理廠房.以減少污染的機會、整理廠房內硅塊生產過程和產品的空氣潔凈度要求為7級以上.相當于原萬級.露天裝置和廠房的爆炸危險區(qū)范圍的劃分按現行國家標準，爆炸危險環(huán)境電力裝置設計規(guī)范。GB，50058的有關規(guī)定執(zhí)行。封閉后廠房的防火設計、防爆措施和泄壓面積的計算應執(zhí)行現行國家標準。建筑設計防火規(guī)范，GB 50016有關章節(jié)的規(guī)定、并對人員的安全疏散采取防護措施,8、1，4.廠房，庫房的防火分區(qū)應符合下列規(guī)定，1，本款提出了生產廠房,輔助設施和公用工程劃分防火分區(qū)的原則要求,2，考慮到還原廠房 整理廠房一般都是多功能房間組合布置，多層廠房的防火分區(qū)劃分宜按層劃分，同時規(guī)定在按層劃分防火分區(qū)時。應用封閉樓梯間來解決疏散問題,封閉樓梯間的設計應按現行國家標準，建筑設計防火規(guī)范.GB、50016的有關規(guī)定執(zhí)行，8,1、5，本條是對多晶硅工廠中安全和衛(wèi)生設計的規(guī)定性要求,由于現行國家標準，工業(yè)企業(yè)設計衛(wèi)生標準.GBZ、1中無露天裝置的相關規(guī)定、所以露天裝置部分還需執(zhí)行現行行業(yè)標準。石油化工企業(yè)職業(yè)安全衛(wèi)生設計規(guī)范 SH 3047的相關規(guī)定，