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- 多晶硅工廠設(shè)計規(guī)范 GB 51034-2014
- 1 總 則
- 2 術(shù) 語
- 3 基本規(guī)定
- 4 廠址選擇及廠區(qū)規(guī)劃
- 5 工藝設(shè)計
- 5.1 一般規(guī)定
- 5.2 三氯氫硅合成和四氯化硅氫化
- 5.3 氯硅烷提純
- 5.4 三氯氫硅氫還原
- 5.5 還原尾氣干法回收
- 5.6 硅芯制備及多晶硅產(chǎn)品后處理
- 5.7 分析檢測
- 6 電氣及自動化
- 7 輔助設(shè)施
- 8 建筑結(jié)構(gòu)
- 9 給水、排水和消防
- 10 采暖、通風(fēng)與空氣調(diào)節(jié)
- 11 環(huán)境保護(hù)、安全和衛(wèi)生
- 12 節(jié)能、余熱回收
- 附錄A 地下管線與建(構(gòu))筑物之間的最小水平凈距
- 附錄B 地下管線之間的最小水平凈距
- 附錄C 主要房間空氣潔凈度、溫度、濕度
- 本規(guī)范用詞說明
- 引用標(biāo)準(zhǔn)名錄
- 條文說明
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- 建筑環(huán)境通用規(guī)范[附條文說明] GB 55016-2021
- 鍋爐房設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)[附條文說明] GB 50041-2020
- 辦公建筑設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)[附條文說明] JGJ/T 67-2019
- 冷庫設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)[附條文說明] GB 50072-2021
- 檔案館建筑設(shè)計規(guī)范[附條文說明] JGJ 25-2010
- 汽車庫、修車庫、停車場設(shè)計防火規(guī)范[附條文說明] GB 50067-2014
- 建筑防火通用規(guī)范[附條文說明] GB 55037-2022
5 3.氯硅烷提純5、3。1。提純流程和塔內(nèi)件應(yīng)根據(jù)物料原料組分、提純難易程度以及產(chǎn)品要求比較分析后確定.5。3，2,氯硅烷提純宜選用差壓耦合提純技術(shù)。5 3 3。氯硅烷提純工序的布置應(yīng)符合下列規(guī)定.1.大直徑塔宜獨立，露天布置，用法蘭連接的多節(jié)組合塔以及直徑不大于600mm的塔宜布置于框架結(jié)構(gòu)內(nèi)，2，塔的布置宜采用單排形式,并應(yīng)按提純流程順序以塔的外壁或中心線對齊，還應(yīng)設(shè)置聯(lián)合平臺.各塔平臺的連接走道結(jié)構(gòu)應(yīng)能滿足各塔伸縮量及基礎(chǔ)沉降的不同要求.3.附屬設(shè)備宜靠近塔布置，并應(yīng)留有安裝、生產(chǎn)、維修空間.4.差壓耦合塔的差壓耦合再沸器、冷凝器和回流罐的標(biāo)高宜逐漸降低,5.3.4。氯硅烷提純工序宜選擇運(yùn)行穩(wěn)定，故障率低、密封好的泵.應(yīng)設(shè)置備用機(jī)。5.3、5。精餾控制方式應(yīng)根據(jù)產(chǎn)品采出位置,進(jìn)料方式、塔內(nèi)溫度和壓力變化確定,可采用精餾段指標(biāo)控制。提餾段指標(biāo)控制或壓力控制.