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- 多晶硅工廠設(shè)計(jì)規(guī)范 GB 51034-2014
- 1 總 則
- 2 術(shù) 語
- 3 基本規(guī)定
- 4 廠址選擇及廠區(qū)規(guī)劃
- 5 工藝設(shè)計(jì)
- 5.1 一般規(guī)定
- 5.2 三氯氫硅合成和四氯化硅氫化
- 5.3 氯硅烷提純
- 5.4 三氯氫硅氫還原
- 5.5 還原尾氣干法回收
- 5.6 硅芯制備及多晶硅產(chǎn)品后處理
- 5.7 分析檢測
- 6 電氣及自動化
- 7 輔助設(shè)施
- 8 建筑結(jié)構(gòu)
- 9 給水、排水和消防
- 10 采暖、通風(fēng)與空氣調(diào)節(jié)
- 11 環(huán)境保護(hù)、安全和衛(wèi)生
- 12 節(jié)能、余熱回收
- 附錄A 地下管線與建(構(gòu))筑物之間的最小水平凈距
- 附錄B 地下管線之間的最小水平凈距
- 附錄C 主要房間空氣潔凈度、溫度、濕度
- 本規(guī)范用詞說明
- 引用標(biāo)準(zhǔn)名錄
- 條文說明
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- 社區(qū)老年人日間照料中心設(shè)施設(shè)備配置 GB/T 33169-2016
- 既有建筑維護(hù)與改造通用規(guī)范[附條文說明] GB 55022-2021
5、5 還原尾氣干法回收5、5,1.還原尾氣干法回收設(shè)計(jì)范圍應(yīng)包括氣體壓縮.氯硅烷深冷分離 氫氣吸附 以及再生后氣處理等單元 5。5，2,還原尾氣除塵工序宜在前端增加過濾器或采用其他解決尾氣中無定形硅的技術(shù).5,5,3.氯硅烷分離工序宜采用高壓深冷方式回收氯硅烷,并宜采用高壓低溫吸收、低壓高溫解析方式回收氯化氫，5、5.4 還原尾氣干法回收工序布置宜符合下列規(guī)定，1，宜臨近還原車間布置。2、還原尾氣干法回收工序的氣體壓縮系統(tǒng) 氯硅烷深冷分離。吸附提純氫系統(tǒng)宜獨(dú)立設(shè)置于敞開或半敞開式的構(gòu)筑物內(nèi)，制冷系統(tǒng)宜布置于密閉建筑物內(nèi)、附屬輔助系統(tǒng)宜在滿足防火間距的基礎(chǔ)上毗連布置。5,5。5,還原尾氣干法回收工序的主要設(shè)備選型應(yīng)符合下列規(guī)定 1，各系統(tǒng)內(nèi)的設(shè)備能力應(yīng)互相匹配。并應(yīng)保證生產(chǎn)的連續(xù)性.2、氫氣壓縮機(jī)應(yīng)選擇密封性好，噪聲小 故障率低。低電耗的機(jī)型,宜設(shè)置備用機(jī).3.宜選用運(yùn)行穩(wěn)定、故障率低，密封好的泵.應(yīng)設(shè)置備用機(jī)、