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5，6、硅芯制備及多晶硅產(chǎn)品后處理5、6.1,硅芯制備工藝可采用區(qū)熔法拉制和切割法。工藝路線選擇應(yīng)根據(jù)硅芯生產(chǎn)規(guī)模 能源價(jià)格等情況，經(jīng)技術(shù)經(jīng)濟(jì)分析比較后確定、5,6,2 采用區(qū)熔法拉制硅芯應(yīng)設(shè)置電磁屏蔽,5。6。3 硅芯制備的房間應(yīng)設(shè)置在潔凈區(qū)內(nèi),5.6。4,多晶硅后處理應(yīng)包括產(chǎn)品運(yùn)輸，破碎.分揀.包裝.腐蝕清洗等工序，其中運(yùn)輸 破碎 分揀 包裝工序應(yīng)符合下列規(guī)定,1 硅棒破碎系統(tǒng)的位置應(yīng)根據(jù)運(yùn)輸硅棒路徑.中間倉(cāng)庫(kù)位置及廠房工藝布置確定.并應(yīng)靠近還原車間、2，硅棒運(yùn)輸車內(nèi)襯板宜采用耐磨。不吸塵的非金屬材料。3 硅棒破碎方式應(yīng)根據(jù)生產(chǎn)規(guī)模,物料性能和產(chǎn)品粒度確定 可采用人工破碎或機(jī)械破碎,4，破碎工具與產(chǎn)品接觸部分，應(yīng)選用硬度大和強(qiáng)度高的材料.5 破碎系統(tǒng)應(yīng)設(shè)置除塵裝置，6 破碎粒度應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn).硅多晶，GB.T。12963和.太陽(yáng)能級(jí)多晶硅,GB T。25074有關(guān)塊狀多晶硅的尺寸范圍要求。7 破碎,分揀,包裝應(yīng)設(shè)置在潔凈區(qū)內(nèi)。5,6，5 腐蝕清洗工序應(yīng)符合下列規(guī)定。1、腐蝕清洗應(yīng)設(shè)置在潔凈區(qū)內(nèi).2，腐蝕清洗室內(nèi)應(yīng)設(shè)置單獨(dú)的物料進(jìn)出口。并應(yīng)與人員出入口分開(kāi)、3 供酸室應(yīng)與腐蝕清洗室分開(kāi)布置,供酸室應(yīng)布置在便于酸桶運(yùn)輸?shù)牡胤?并應(yīng)采取防護(hù)措施 4.腐蝕清洗設(shè)備內(nèi)酸腐蝕部位應(yīng)設(shè)置強(qiáng)制排風(fēng),廢氣應(yīng)處理達(dá)標(biāo)后再排放.5,輸送強(qiáng)酸的管道應(yīng)采用雙層套管 外層宜采用透明聚氯乙烯、PVC。管.