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10,2、系統(tǒng)設(shè)計。處理流程及方法10、2 1 兩個廢氣出口一個為起爐煙氣出口 另一個為生產(chǎn)煙氣出口，起爐煙氣為各窯爐烘爐或起爐空氣燃燒時排出的煙氣.生產(chǎn)煙氣為生產(chǎn)時因物料熔融而產(chǎn)生的煙氣、起爐煙氣一般不含有害物質(zhì).而生產(chǎn)煙氣含有有害物質(zhì) 所以一般分別設(shè)置排氣系統(tǒng)。10、2,2，規(guī)定本條目的在于使窯爐生產(chǎn)設(shè)備內(nèi)部和煙氣系統(tǒng)均保持穩(wěn)定的工作壓力.窯爐生產(chǎn)設(shè)備廢氣出口通常為微負壓，該壓力對生產(chǎn)效率有很大的影響 10，2 4,由于各電子玻璃的生產(chǎn)廠的配方不同.產(chǎn)生的煙氣成分都不同 因而所采用的處理方法也有不同、采用噴淋設(shè)備，半干式吸收塔處理酸性廢氣為一般采用的方法,若有氮氧化物的產(chǎn)生,其處理方法按第10.2，6條的說明、10 2.5,廢氣的降溫在電子玻璃行業(yè)中有兩個方法。即室外冷空氣降溫和噴淋降溫.采用何種方法取決于采用的生產(chǎn)原料是否有吸濕的情況,如硼，砷等，脫硝效率與濕度成反比，過高的濕度容易引起處理設(shè)備及風管中產(chǎn)生結(jié)晶、所以需確保降溫后廢氣的相對濕度不超過10，10.2.6，本條規(guī)定了廢氣脫硝的方式、1，常溫脫硝一般采用化學洗滌、或臭氧.AOP，氧化還原工藝等方法.但因產(chǎn)生廢水。產(chǎn)生水溶化合物的再處理問題、及廢氣氮氧化物濃度高等情況，在電子玻璃煙氣中很少采用，2 當采用CSCR方案時。脫硝設(shè)備包括。氨水外部升溫氣化設(shè)備,氨水與廢氣混合設(shè)備.廢氣升溫設(shè)備 由60 80、提升到100,120,脫硝反應(yīng)塔.含觸媒，氨逃逸監(jiān)控,氮氧化物監(jiān)控，觸媒回收設(shè)備等.4，當采用SNCR或HESNCR方案時,脫硝設(shè)備包括,含氨水外部升溫氣化設(shè)備，氨水與廢氣混合設(shè)備、除灰設(shè)備，脫硝反應(yīng)設(shè)備，氨逃逸監(jiān)控,氮氧化物監(jiān)控儀表等.常用的脫硝方式見表10 10,2，7，本條規(guī)定是考慮因硼粉塵與氨結(jié)晶會毒化催化劑及產(chǎn)生催化劑氧化問題。10 2，8。本條規(guī)定氨的逃逸率不超過8mg,m3依據(jù)現(xiàn)行行業(yè)標準、火電廠煙氣脫硝工程技術(shù)規(guī)范，選擇性非催化還原法，HJ、563，脫硝系統(tǒng)設(shè)計時要采取控制氨氣泄漏的措施、防止二次污染.氨的逃逸率不超過8mg m3.同時廠界氨氣的濃度符合現(xiàn)行國家標準.惡臭污染物排放標準.GB、14554的規(guī)定，