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附錄C,發(fā)光二極管生產(chǎn)的典型工藝流程C.2,1。采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備。在襯底。如Al2O3 GaAs、上做外延層 GaN.AlGaInP、和相應(yīng)的摻雜層如p GaN層,n，GaN層 p AlxGayIn1、x,yP層.n，AlxGayIn1 x.yP層等,按照特定程序生長出符合設(shè)計(jì)要求的外延層、GaN GaAs AlxGayIn1，x yP,C、2。2，管芯,芯片,生產(chǎn)工藝流程包括,光刻.刻蝕 減薄,劃片,繃片 擴(kuò)片、測試、分揀等工藝 光刻 通過一系列生產(chǎn)步驟、在晶圓表面部分區(qū)域形成設(shè)計(jì)所需的薄膜保護(hù)層。以便后續(xù)工序進(jìn)行選擇性蝕刻 光刻工藝主要包含勻膠,烘干，曝光,顯影四個(gè)階段、勻膠.在清洗后的外延片上,涂覆一層均勻的光刻膠、烘干，在一定條件下烘烤，除去光刻膠中的溶劑.增強(qiáng)黏附性。釋放光刻膠膜內(nèi)的應(yīng)力，防止光刻膠玷污設(shè)備，曝光、在掩模版的遮蔽下,對光刻膠進(jìn)行選擇性曝光、使光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。整個(gè)晶面的光刻膠薄膜由起交聯(lián)反應(yīng)部分與未起交聯(lián)反應(yīng)部分組成，顯影。采用特定化學(xué)溶劑去除起交聯(lián)反應(yīng)部分光刻膠或去除未起交聯(lián)反應(yīng)部分光刻膠、在晶圓表面部分區(qū)域形成設(shè)計(jì)所需的薄膜保護(hù)層 刻蝕?？涛g技術(shù)分為干法刻蝕和濕法刻蝕?？涛g的目的是將光刻后暴露的保護(hù)層去除 使下面的基質(zhì)層暴露出來.干法刻蝕 利用低壓放電產(chǎn)生的等離子體中的離子或游離基、處于激發(fā)態(tài)的分子.原子及各種原子基團(tuán)等,與材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或通過轟擊等物理作用選擇性腐蝕基材的過程、刻蝕氣氛通常含有F,Cl等離子體或碳等離子體,因此刻蝕氣體通常使用CF4、Cl2,BCl3這一類的氣體。濕法刻蝕，通過化學(xué)反應(yīng)的方法對基材腐蝕的過程 根據(jù)不同的工藝要求而選擇不同的刻蝕劑 最常用的是以氫氟酸.鹽酸，硫酸，硝酸等和純水配成的刻蝕液、刻蝕完成后.要用酸 堿和純水反復(fù)沖洗.以保證刻痕的清潔、減薄、劃片,繃片、擴(kuò)片,對于氮化鎵、或砷化鎵.的襯底，先將已制作好管芯的一面用石蠟粘合在陶瓷蓋上保護(hù)起來，在減薄機(jī)上用不同粒度大小的金剛砂對襯底進(jìn)行減薄 將減薄后晶片粘在帶黏性的薄膜上、用激光劃片機(jī)劃出或用金剛石鋸片機(jī)切割出每一個(gè)單獨(dú)的管芯,將劃片后的晶片在繃片機(jī)上繃緊。用適當(dāng)?shù)牧α亢偷毒邠舸騽澓垡允够趧澓厶幜验_,最后在擴(kuò)片機(jī)上將黏附襯底的薄膜伸張、使管芯與管芯之間分離一定間距。并黏附在薄膜上,測試。分揀、在分揀機(jī)上根據(jù)不同的測試數(shù)據(jù)按照一定的分類規(guī)則對管芯進(jìn)行分類，C。2.3。管芯，芯片.封裝生產(chǎn)工藝流程包括、裝片。金線鍵合、固化 切筋，裝片,將發(fā)光二極管芯片安裝在相應(yīng)的支架位置上、金線鍵合。鍵合的目的是將電極引到發(fā)光二極管芯片上。完成產(chǎn)品內(nèi)外引線的連接作用 固化,對芯片進(jìn)行包封.以產(chǎn)生器件的光學(xué)和防護(hù)特性 切筋,由于發(fā)光二極管在生產(chǎn)中是連在一起的 采用切筋工藝切斷發(fā)光二極管支架的連筋.