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4,5,半導(dǎo)體材料制備4,5,1,本條對(duì)硅。鍺材料制備廢氣治理作出要求.3,高純?nèi)葰涔柽€原尾氣中,主要含有氫氣 氯化氫和氯硅烷。還原尾氣干法回收技術(shù)是利用還原尾氣中各種組分物理性能,露點(diǎn),沸點(diǎn) 上的差異.通過(guò)加壓冷凝。吸收、脫吸,活性炭吸附等物理手段 把尾氣中的氫氣.氯化氫。三氯氫硅。二氯二氫硅。四氯化硅逐一分開 分別返回主工藝中,四氯化硅通過(guò)氯化轉(zhuǎn)變成的三氯氫硅.也返回系統(tǒng)使用、由于還原尾氣干法回收系統(tǒng)完全密閉。不外排尾氣 分離回收的上述副產(chǎn)物全部返回工藝系統(tǒng)使用 從而達(dá)到了回收副產(chǎn)物、變廢為用的目的.本規(guī)范推薦采用還原尾氣干法回收技術(shù),5、硅粉倉(cāng)、鍺精礦倉(cāng)進(jìn)、出料產(chǎn)生的粉塵.應(yīng)設(shè)計(jì)高效布袋除塵器凈化,回收的塵粉即硅粉.鍺精礦粉,應(yīng)返回原料制備車間.6,氧化鍺制備過(guò)程產(chǎn)生的尾氣中含有氯化氫、氯氣,應(yīng)設(shè)計(jì)氫氧化鈉堿液一級(jí)淋洗凈化,還原鍺錠,區(qū)熔鍺錠腐蝕過(guò)程產(chǎn)生含氟化氫、氮氧化物的廢氣、應(yīng)設(shè)計(jì)氫氧化鈉堿液兩級(jí)淋洗、才能使氟化物、氮氧化物達(dá)標(biāo)排放。7、單晶硅 單晶鍺酸洗過(guò)程產(chǎn)生含氟化氫、氮氧化物的廢氣、也應(yīng)設(shè)置堿液淋洗裝置凈化、4 5.2 合成砷化鎵時(shí)發(fā)生石英管爆裂的概率很低.持續(xù)時(shí)間也很短,最長(zhǎng)5min。這種事故發(fā)生的時(shí)間一般在合成爐升溫的前30min和降溫的后30min,由于爐內(nèi)溫度高于400,砷會(huì)迅速揮發(fā)產(chǎn)生三氧化二砷劇毒氣體。因此必須設(shè)置事故排放的含砷廢氣處理設(shè)施.妥善處理事故排放的含砷廢氣.三氧化二砷氣體是劇毒氣體.因此將本條設(shè)為強(qiáng)制性條文,必須嚴(yán)格執(zhí)行
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