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2,術(shù)。語(yǔ) 本規(guī)范的術(shù)語(yǔ)及定義僅限于本規(guī)范所涉及的工程范圍 規(guī)范中未定義的術(shù)語(yǔ).可優(yōu)先依據(jù)現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、電工術(shù)語(yǔ)。電磁兼容 GB T。4365選用。2，0 1、由暗室作為主要房間。與其他用房。測(cè)量系統(tǒng)，配套設(shè)施等所組成的電磁波暗室,是受試設(shè)備電磁性能測(cè)試的實(shí)驗(yàn)室、暗室的功能和技術(shù)水平?jīng)Q定了電磁波暗室的能力、暗室內(nèi)部指定的區(qū)域 即受試設(shè)備性能測(cè)量應(yīng)處于的區(qū)域。稱.靜區(qū).或 測(cè)試區(qū),在此區(qū)域內(nèi)的電磁環(huán)境.包括所要求電磁信號(hào)和限定的電磁背景雜波,取決于采用的測(cè)量系統(tǒng)技術(shù)以及受試設(shè)備測(cè)試項(xiàng)目?jī)?nèi)容對(duì)測(cè)試結(jié)果不確定度的要求 能夠?qū)崿F(xiàn)其要求的電磁環(huán)境則主要是依賴于暗室的型體和尺寸、采用的吸波技術(shù)、或有屏蔽要求的屏蔽技術(shù),測(cè)量系統(tǒng)技術(shù)和內(nèi)部場(chǎng)地布局等，2。0，2,所有電磁波暗室的功能性房間均應(yīng)包括測(cè)控間,此外 還可根據(jù)暗室的類別 測(cè)量系統(tǒng)和試驗(yàn)項(xiàng)目?jī)?nèi)容不同 包括不同的設(shè)備間。以及受試設(shè)備進(jìn)行不同性能試驗(yàn)的試驗(yàn)間，設(shè)備間一般包括饋源間。功放間,負(fù)載間，信號(hào)間等 2、0。4.暗室電磁背景雜波主要是暗室內(nèi)部各種界面對(duì)電磁波信號(hào)所產(chǎn)生反射和散射的相干雜散信號(hào),以及外界泄漏到暗室內(nèi)的電磁噪聲。這些雜波存在會(huì)對(duì)暗室內(nèi)試驗(yàn)測(cè)量的結(jié)果造成不利影響。2,0 5,暗室靜區(qū)由位置 范圍、靜區(qū)內(nèi)的電磁信號(hào)性能和靜區(qū)靜度等四個(gè)要素構(gòu)成。暗室靜區(qū)是暗室工程建設(shè)的最核心內(nèi)容,對(duì)于已建成的暗室.隨著受試設(shè)備的工作頻率。尺寸大小和試驗(yàn)狀態(tài)。測(cè)量項(xiàng)目?jī)?nèi)容和不確定度的要求,采用的不同測(cè)量系統(tǒng),暗室靜區(qū)四個(gè)要素的量值是不一樣的.對(duì)于待建暗室,應(yīng)根據(jù)上述受試設(shè)備的不同內(nèi)容和要求,設(shè)計(jì)暗室型體和尺寸.布局測(cè)量系統(tǒng)。采用合理的吸波和屏蔽技術(shù)。滿足暗室靜區(qū)四個(gè)要素的不同量值要求。2.0,6、靜區(qū)范圍內(nèi)電磁背景雜波是指落入靜區(qū)內(nèi)的不利于測(cè)試的電磁波能量.包括測(cè)試信號(hào)被暗室內(nèi)各種物體界面反射和散射到靜區(qū)的相干雜散測(cè)試信號(hào)，以及外界泄漏到暗室靜區(qū)的電磁噪聲,兩者的總合成電平是電磁背景雜波，2。0,7。對(duì)靜區(qū)內(nèi)電磁波信號(hào)的要求。主要是幅度均勻性和相位一致性，對(duì)其要求既取決于測(cè)試項(xiàng)目?jī)?nèi)容、又取決于系統(tǒng)分配給電磁波信號(hào)傳播對(duì)受試設(shè)備性能測(cè)量不確定度的貢獻(xiàn)程度，因此.對(duì)靜區(qū)電磁信號(hào)特性的具體要求應(yīng)根據(jù)項(xiàng)目不同而異 2.0。8.測(cè)試信號(hào)電磁波在暗室內(nèi)壁界面處產(chǎn)生的反射如指向靜區(qū)。則在此反射處的一定區(qū)域范圍內(nèi)大部分能量反射到靜區(qū)、此主要反射區(qū)域、通常以較低階數(shù)的菲涅爾區(qū)域所包圍的范圍界定。2.0,9，在滿足電磁波遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)最小距離要求條件下,被測(cè)對(duì)象天線口面橫向尺寸范圍內(nèi)的電磁場(chǎng)波前分布.能夠滿足相位誤差要求，一般情況下、當(dāng)需要滿足球面波前相位偏離π,8要求的情況下 遠(yuǎn)場(chǎng)最小距離應(yīng)大于2D2，λ 其中、D為天線口面有效橫向尺寸,λ為工作波長(zhǎng)，2。0.10 近場(chǎng)區(qū)包括輻射近場(chǎng)區(qū)和電抗性近場(chǎng)區(qū)，其中輻射近場(chǎng)區(qū),其范圍介于電抗性近場(chǎng)區(qū)范圍 在λ。2π以內(nèi),和最小距離遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)范圍、2D2。λ.之間 暗室工程的近場(chǎng)區(qū)是指輻射近場(chǎng)區(qū),一般在3λ.10λ范圍內(nèi)，需滿足大于λ、2π且小于2D2 λ的要求，2、0 11,產(chǎn)生緊縮場(chǎng)的測(cè)量系統(tǒng).一般常用高精度的單反射面天線系統(tǒng)或高精度的雙反射面天線系統(tǒng),2 0、13 影響交叉極化隔離度的因素有多種。主要有系統(tǒng)設(shè)備加工精度。裝配和安裝誤差。測(cè)量技術(shù)誤差,傳輸環(huán)境產(chǎn)生的誤差等 作為暗室工程、注重于傳輸因素對(duì)交叉極化隔離度的影響程度，2.0。14.電磁波在不同路徑傳輸中的能量衰減程度.是與傳輸介質(zhì)特性 傳輸路徑長(zhǎng)短、電磁波頻率等因素密切相關(guān)的 2 0.15。輻射功率密度的單位,在暗室工程中根據(jù)使用領(lǐng)域的不同，常采用dBkW.m2。dBmW。m2、dBmW,cm2，dBμW，cm2 2。0。16、電磁波吸收材料根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)合和性能要求的不同.其結(jié)構(gòu)形式,尺寸、材質(zhì)多種多樣。在暗室工程中應(yīng)該合理選擇.2,0、17.電磁波吸收材料的反射性能，在其他情況不變的情況下 與電磁波投射到材料表面的入射角度關(guān)系密切.通常吸波材料提供的是垂直投射界面狀態(tài)下的反射性能，暗室工程技術(shù)特別要重視投射角度的變化所引起的材料反射性能的變化，