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6 工藝設(shè)計(jì)6。0,1、電磁波暗室的工藝區(qū)劃應(yīng)滿足暗室體型尺寸，暗室與功能性房間之間的相對(duì)位置要求。6。0.2、暗室應(yīng)與測(cè)控間，設(shè)備間，試驗(yàn)間等相鄰 6、0,3 暗室開(kāi)門位置不宜在主反射區(qū)、6 0,4 暗室布局宜自建筑的底層開(kāi)始。6。0、5、暗室體型宜選擇內(nèi)壁對(duì)電磁波反射路徑既少又弱、試驗(yàn)操作安全可靠.結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的體型、6。0,6.暗室內(nèi)有兩套或以上功能測(cè)試系統(tǒng)時(shí)，其體型和尺寸除應(yīng)滿足各測(cè)試系統(tǒng)的測(cè)量技術(shù)要求外.還應(yīng)滿足系統(tǒng)間相互耦合的隔離要求。6。0，7,長(zhǎng)方體暗室尺寸應(yīng)符合下列規(guī)定.1,內(nèi)壁長(zhǎng)度L應(yīng)按下式計(jì)算 L，L1 L2.L3。L4、6。0 7，1、式中 L1 測(cè)量距離、m,按表6。0。7計(jì)算、L2.暗室內(nèi)測(cè)量系統(tǒng)設(shè)備和受試設(shè)備在測(cè)試中。沿暗室測(cè)量縱軸方向所占據(jù)的最大尺寸之和.m。L3,為滿足運(yùn)輸.維護(hù)及電磁輻射性能要求 沿測(cè)量縱軸方向增加的長(zhǎng)度,L4 暗室兩端墻壁吸波材料沿測(cè)量縱軸方向的高度和。m、表6,0.7，L1計(jì)算,2。內(nèi)壁寬度W應(yīng)按下式計(jì)算.W W1.W2,W3、6,0 7.2 式中,W 內(nèi)壁寬度。m。不宜小于0 87L1。W1，暗室內(nèi)測(cè)量系統(tǒng)設(shè)備和受試設(shè)備在測(cè)試中,沿暗室寬度方向所占據(jù)的最大尺寸，m、W2、滿足運(yùn)輸,維護(hù)和輻射特性需要 沿暗室寬度方向的空間尺寸、m、W3 暗室兩側(cè)墻壁吸波材料高度的總和，m。3，內(nèi)壁高度H應(yīng)按下式計(jì)算，并應(yīng)滿足輻射特性要求、H H1，H2 H3.6。0,7.3,式中,H.內(nèi)壁高度。m,對(duì)于1，1 2、1、2 2,3 2類暗室。不宜小于0,87L1,H1.測(cè)量系統(tǒng)設(shè)備或受試設(shè)備的最大高度。m,H2、設(shè)備上部安裝空間尺寸,m H3。暗室頂部吸波材料高度。m、6，0,8,錐體暗室尺寸設(shè)計(jì)應(yīng)符合下列規(guī)定。1，暗室靜區(qū)尺寸不應(yīng)小于待測(cè)天線尺寸，2.暗室長(zhǎng)方體部分寬度和高度應(yīng)相等.不應(yīng)小于暗室靜區(qū)尺寸的3倍,3 暗室長(zhǎng)方體部分長(zhǎng)度不應(yīng)小于暗室寬度和主墻吸波材料高度的和 4，錐頂角可選取20。22，5,根據(jù)本條第1款.第4款設(shè)計(jì)的錐形暗室 測(cè)量距離L1應(yīng)滿足本規(guī)范表6,0。7的遠(yuǎn)場(chǎng)條件.6,6GHz及以上頻段的錐形暗室，應(yīng)符合自由空間電波傳播幅度與相位的均勻性要求。6、0、9 正多邊柱體暗室尺寸應(yīng)符合下列規(guī)定、1.內(nèi)壁內(nèi)切圓半徑R應(yīng)按下式計(jì)算.R L1、R2 R3、R4、6 0 9。1.式中。L1，測(cè)量距離。按本規(guī)范表6，0、7計(jì)算。對(duì)于1,1、2。1 3,2類遠(yuǎn)場(chǎng)測(cè)量暗室,當(dāng)天線口面內(nèi)電磁波相位偏差要求小于或等于λ。8時(shí)、K值取2,對(duì)于2、2類暗室.K值可小于2,R2 測(cè)量系統(tǒng)設(shè)備與受試設(shè)備沿半徑方向的長(zhǎng)度之和。R3.滿足運(yùn)輸.維護(hù)和輻射特性需要、在半徑方向的空間尺寸,R4,吸波材料的總高度。2。高度應(yīng)按本規(guī)范式,6.0.7.3,計(jì)算。6。0、10 雷達(dá)截面緊縮場(chǎng)微波暗室，3、1類暗室.尺寸 應(yīng)與要求的靜區(qū)尺寸、測(cè)量系統(tǒng)布局,操作維護(hù)空間相協(xié)調(diào)匹配、6、0.11，除本規(guī)范表4、0 1中1 2,1,3 2,2 3,1、3.2,4。1類暗室測(cè)量系統(tǒng)在高度方向布局另有要求外.其他暗室內(nèi)部測(cè)量系統(tǒng)應(yīng)對(duì)稱布局,6,0,12.暗室靜區(qū)范圍尺寸應(yīng)大于受試設(shè)備試驗(yàn)狀態(tài)中所覆蓋的區(qū)域。