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6、2,防雷區(qū)和防雷擊電磁脈沖6,2,1 將需要保護的空間劃分為不同的防雷區(qū),以規(guī)定各部分空間不同的雷擊脈沖磁場強度的嚴重程度和指明各區(qū)交界處的等電位連接點的位置、各區(qū)以在其交界處的電磁環(huán)境有明顯改變作為劃分不同防雷區(qū)的特征 通常 防雷區(qū)的數(shù)越高、其電磁場強度越小。一建筑物內(nèi)電磁場會受到如窗戶這樣的洞的影響和金屬導(dǎo)體 如等電位連接帶,電纜屏蔽層,管子,上電流的影響以及電纜路徑的影響 將需要保護的空間劃分成不同防雷區(qū)的一般原則見圖15,6。2,2,圖6、2。2引自IEC.62305,4 2010第14頁,第15頁的圖2、雷擊對建筑物內(nèi)電氣系統(tǒng)和電子系統(tǒng)的有害影響簡介于下、侵害源。雷電流及其相應(yīng)磁場是原始侵害源。磁場的波形與雷電流的相同,涉及保護時,雷擊電場的影響通常是次要的 原始侵害源是LEMP。根據(jù)防雷建筑物的不同類別 第一類、第二類。第三類.按本規(guī)范附錄F的表F,0.1、1。表F、0。1.2和表F。0、1.3選取Io.I0正極性首次沖擊電流波10,350μs,I0分別為、200kA。150kA.100kA,負極性首次沖擊電流波1.200μs,I0分別為.100kA,75kA.50kA、負極性首次以后,后續(xù)、的沖擊電流波0、25,100μs I0分別為 50kA。37.5kA,25kA.H0沖擊電磁波10.350μs。1.200μs和0,25.100μs,從I0導(dǎo)出,被害物、安裝在建筑物內(nèi)或其上的建筑物內(nèi)系統(tǒng)、僅具有有限的耐電涌和耐磁場水平.當(dāng)其遭受首次雷擊作用及其以后,后續(xù)。電流的磁場作用下時??赡鼙粨p害或錯誤地運行 安裝在建筑物外并處在暴露位置的系統(tǒng).由于遭遇的電涌可能達到直接雷擊的全電流和沒有衰減的磁場,可能遇到的風(fēng)險較大,安裝在建筑物內(nèi)的系統(tǒng),由于遭遇的磁場是剩下的衰減磁場和內(nèi)部的電涌是傳導(dǎo)和感應(yīng)而產(chǎn)生的,以及外部電涌是經(jīng)引入線路傳導(dǎo)而來的??赡苡龅降娘L(fēng)險較小.被害物,設(shè)備,的耐受水平、1、220,380V設(shè)備的耐沖擊電壓水平Uw見本規(guī)范表6,4 4、它引自,低壓電氣裝置.第4,44部分,安全防護.電壓騷擾和電磁騷擾防護、IEC,60364、4。44.2007第18頁的表44,B,2 電信裝置的耐受水平參見ITU,T建議標(biāo)準(zhǔn),電信中心電信設(shè)備耐過電壓過電流的能力、K、20.2003、Resistibility、of、telecommunication.equipment,installed,in,a telecommunications。center to、overvoltages、and,overcurrents。和,用戶電信設(shè)備耐過電壓過電流的能力 K,21 2003,Resistibility,of.telecommunication。equipment,installed,in。customer.premises。to。overvoltages、and,overcurrents,3,一般通用設(shè)備的耐受水平在其產(chǎn)品說明書有規(guī)定或可做以下試驗 1 防傳導(dǎo)電涌采用IEC。61000,4,5、2005,Ed 2,0.Electromagnetic,compatibility.EMC Part,4,5、Test.and Measurement,techniques,Surge.immunity.test 電磁兼容.EMC.第4。5部分,試驗和測量技術(shù).電涌 沖擊、抗擾度試驗,標(biāo)準(zhǔn)。耐電壓水平的試驗Uoc為0.5、1、2。4kV,沖擊電壓波形1。2 50μs.和耐電流水平的試驗Isc為0.25。0,5,1、2kA.沖擊電流波形8.20μs、有些設(shè)備為了滿足上述標(biāo)準(zhǔn)的要求,可能在設(shè)備內(nèi)裝有SPD,它們可能影響協(xié)調(diào)配合的要求.上述標(biāo)準(zhǔn)的國家標(biāo)準(zhǔn)為、電磁兼容試驗和測量技術(shù) 浪涌。沖擊,抗擾度試驗。GB,T、17626.5 2008,等效IEC、61000 4。5,2005。2,防磁場,強度、采用IEC。61000、4。9,2001,Ed.1,1.Electromagnetic compatibility、EMC,Part.4、9.Test.and。Measurement。techniques。Pulse。magnetic,field.immunity。test。電磁兼容、EMC 第4,9部分、試驗和測量技術(shù)。脈沖磁場抗擾度試驗、標(biāo)準(zhǔn).用以下磁場強度做試驗,100.300.1000A,m 8.20μs波形。上述標(biāo)準(zhǔn)的國家標(biāo)準(zhǔn)為、電磁兼容試驗和測量技術(shù),脈沖磁場抗擾度試驗.GB,T.17626,8 1998,等效IEC,61000、4。9,1993,并采用IEC,61000,4、10、2001,Ed 1,1.Electromagnetic。compatibility。EMC Part,4 10。Test,and.measurement techniques、Damped.oscillatory magnetic field.immunity、test、電磁兼容。EMC 第4,10部分,試驗和測量技術(shù),阻尼振蕩磁場抗擾度試驗.標(biāo)準(zhǔn),用以下磁場強度做試驗,10 30、100A,m,在1MHz頻率條件下、上述標(biāo)準(zhǔn)的國家標(biāo)準(zhǔn)為 電磁兼容試驗和測量技術(shù) 阻尼振蕩磁場抗擾度試驗 GB,T、17626.9。1998、等效IEC,61000、4 10.1993 IEC,61000,4、9和IEC,61000,4.10規(guī)定試驗的波形是阻尼振蕩波。可用于確定設(shè)備耐受由首次正極性雷擊和后續(xù)雷擊磁場波頭陡度所產(chǎn)生的磁場強度,
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